SI2302 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

N沟道增强型场效应晶体管

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品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 质量放心 免费样品 欢迎咨询

工作原理

结型场效应三极管的结构与绝缘栅场效应三极管相似，工作机理也相同。结型场效应三极管的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

N沟道JFET当VDS=0时， VGS对沟道宽度的影响，当PN结 反向偏置时，阻挡层宽度增大，主要向低掺杂N区扩展。当VDS=0时，VGS越负，响应的阻挡层越宽，沟道就窄，沟道的导电能力就越差，直到VGS=VGS(off)时，两侧阻挡层相遇，沟道消失。

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